ISSI SRAM

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ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM Sync SRAM 72Mb, 2.5v 4Mb x18bits, 250MHz 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 4 M x 18 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 18M (512Kx36) 200MHz Sync SRAM 2.5v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb No-Wait/ Pipeline Sync 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 18Mb No-Wait/ Pipeline Sync 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb No-Wait/ Pipeline Sync 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb No-Wait/ Pipeline Sync 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 144
배수: 144

18 Mbit 1 M x 18 8.4 ns 250 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 900 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 1Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb 2Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 333 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 900 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 4), Sync SRAM, 512K x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 4 M x 18 8.4 ns 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 750 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 512K x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 4), Sync SRAM, 4M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 1Mx18 250Mhz QUAD Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 512K x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray