ISSI SRAM

결과: 1,229
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,250MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

18 Mbit 512 k x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync,128K x 36,250Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 2.6 ns 250 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 225 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

36 Mbit 1 M x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 350 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 18,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3V or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

36 Mbit 2 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 340 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

36 Mbit 2 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 1.8 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,166Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

72 Mbit 2 M x 36 3.8 ns 166 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

36 Mbit 2 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 1.8 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tube
ISSI SRAM SYNC.PIPE,200MHz,3CE 256K x36, 3.3v I/O 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,166Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

72 Mbit 2 M x 36 3.8 ns 166 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,4Mb x 18,200Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

72 Mbit 4 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,4Mb x 18,200Mhz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

72 Mbit 4 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM SYNC.PIPE,200MHz,3CE 512K x18, 3.3v I/O 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 512 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 165 Ball BGA, Lead Free 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 100 Pin TQFP, Lead Free 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3v or 2.5v I/O, 165 Ball BGA, Lead Free 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 1M (64Kx16) 8ns Async SRAM 3.3v 재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

1 Mbit 8 ns 3.63 V 3.135 V 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.465 V 3.135 V - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.465 V 3.135 V - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz 3.3 V 2.5 V 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel