ISSI SRAM

결과: 1,229
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18M (1Mx18) 7.5ns Sync SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,7.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 36,7.5ns,3.3V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,2Mb x 18,6.5 or 7.5ns,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,Flow-Through,Sync,2Mb x 18,6.5 or 7.5ns,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

36 Mbit 2 M x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 144
배수: 144

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 100Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 100Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 100Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 100Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM SYNC.FLOW-THRU 7.5ns 512K x18, 3.3v I/O 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 120 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,200Mhz,3.3V or 2.5v I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 200
배수: 200
: 200

36 Mbit 2 M x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 340 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray