ISSI SRAM

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ISSI SRAM 36Mb 250Mhz 2Mx18 DDR-II Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 600 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 512K x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb 300Mhz 4Mx18 DDR-II Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 600 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 250Mhz 1Mx18 DDR-II Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 600 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR II (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb 250Mhz 2Mx18 DDR II Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 600 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb 300Mhz 4Mx18 DDR-II Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 600 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR II (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm) 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR II (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 144
배수: 144

18 Mbit 1 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 580 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel