ISSI SRAM

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ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 1M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 4M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.25 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.05 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb 2Mx18 333Mhz QUAD Sync SRAM 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 800 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 DDR-II Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 512K x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb (512Kx36) Sync SRAM 2.5v 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 36Mb 250Mhz 1Mx36 DDR II Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 1 M x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

36 Mbit 2 M x 18 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR II (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 2M x 36, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb 300Mhz 2Mx36 DDR-II Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, DDR II (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 4 M x 18 250 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 72Mb, DDR II (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 4M x 18, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 4 M x 18 450 ps 300 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 2), Sync SRAM, 512K x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 512K x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

72 Mbit 2 M x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 4) CIO, Sync SRAM, 512K x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin SOJ (400 mil), RoHS 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Reel