ISSI SRAM

결과: 1,231
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM Sync SRAM 72Mb, 2.5v 4Mb x18bits, 250MHz 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-165 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v,or 10ns,2.4V-3.6V,44 Pin SOJ (400 mil), RoHS 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 72Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,2Mb x 36,200MHz, 2.5v I/O, 100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

72 Mbit 2 M x 36 3.1 ns 200 MHz 550 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,2Mb x 36,200MHz, 2.5v I/O, 100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

72 Mbit 2 M x 36 3.1 ns 200 MHz 550 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
4 Mbit 256 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 35 mA, 40 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
4 Mbit 256 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 35 mA, 40 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 35 mA, 40 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 35 mA, 40 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44

ISSI SRAM 256Mb, OctalRAM, 32Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

256 Mb 32 M x 8 200 MHz OPI 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync with ECC,128K x 32,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 32 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 185 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 7.5ns 128K x 32 Sync SRAM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 72
배수: 72

4 Mbit 128 k x 32 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 185 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 185 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp 비재고 리드 타임 14 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 512K x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb, DDR IIP (Burst of 2) CIO, Sync SRAM, 512K x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.3 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 DDR-II Sync SRAM 비재고 리드 타임 28 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 512 k x 36 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS 재고 없음
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Tube
ISSI SRAM 18Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 1M x 18, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 비재고 리드 타임 30 주
최소: 105
배수: 105

18 Mbit 1 M x 18 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.15 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray