ISSI SRAM

결과: 1,231
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 800

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 128K x 36 Sync SRAM 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 256K x 18 Sync SRAM 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 200 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 200 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 72
배수: 72

TQFP-100
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 800
배수: 800
: 800

TQFP-100 Reel