ISSI SRAM

결과: 1,231
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ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,128K x 16,8ns/3.3v, or 10ns/2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
최대: 200
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 65 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 100 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,25ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed,Async,256K x 32,8ns/3.3V,or 10ns/2.4V-3.6V,90 Ball mBGA(8x13 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 256 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-90 Reel

ISSI SRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

512 kbit 32 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 1Mb 64Kx16 12ns/3.3v Async SRAM 3.3v 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,2.5v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 3 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,55ns,2.5v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,55ns,2.5v-3.6v,32 Pin SOP, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Reel

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,55ns,2.5v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel