|
|
SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
- IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR
- ISSI
-
3,000:
₩3,818.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-62WVS1288FB20NIR
|
ISSI
|
SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
|
20 MHz
|
SDI, SPI, SQI
|
3.6 V
|
2.2 V
|
8 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 1M (128Kx8) 12ns Async SRAM 3.3v
- IS63WV1024BLL-12BLI
- ISSI
-
480:
₩3,611.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-63WV1024B12BLI
|
ISSI
|
SRAM 1M (128Kx8) 12ns Async SRAM 3.3v
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩3,611.2
|
|
|
₩3,596.4
|
|
|
₩3,522.4
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
12 ns
|
|
Parallel
|
3.63 V
|
2.97 V
|
45 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v, 48 Ball mBGA I (6x8 mm), RoHS
- IS63WV1024BLL-12BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩3,404
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-63WV1024B12BLIT
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,12ns/3.3v or 15ns/2.5v-3.6v, 48 Ball mBGA I (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
1 Mbit
|
|
12 ns
|
|
|
3.63 V
|
2.97 V
|
45 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,8ns/3.3v or 10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
- IS63WV1288DBLL-10HLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩2,412.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-63WV1288DBL10HLT
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,128K x 8,8ns/3.3v or 10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV6416EEBLL-8TLI
- ISSI
-
1:
₩4,898.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-6416EEBLL-8TLI
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩4,898.8
|
|
|
₩4,558.4
|
|
|
₩4,425.2
|
|
|
₩4,321.6
|
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|
보기
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|
₩4,218
|
|
|
₩4,084.8
|
|
|
₩3,981.2
|
|
|
₩3,951.6
|
|
|
₩3,788.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
8 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
30 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
|
|
|
SRAM 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive
- IS64C6416AL-15TLA3-TR
- ISSI
-
1,000:
₩6,127.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-64C6416AL15TLA3T
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed,Async,64K x 16,12ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩6,127.2
|
|
|
₩5,816.4
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
|
1 Mbit
|
|
15 ns
|
|
|
5.5 V
|
4.5 V
|
50 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩3,951.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-6EEBLL-8TLI-TR
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (8ns),44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩3,951.6
|
|
|
₩3,788.8
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
8 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
30 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
- IS66WVQ8M4DALL-200BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩3,803.6
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
870-8M4DALL200BLIT
|
ISSI
|
SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
32 Mbit
|
8 M x 4
|
|
200 MHz
|
SPI
|
1.95 V
|
1.65 V
|
75 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-24
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
- IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩3,803.6
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
870-8M4DBLL133BLIT
|
ISSI
|
SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
32 Mbit
|
8 M x 4
|
|
133 MHz
|
SPI
|
3.6 V
|
2.7 V
|
75 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-24
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 4Mb,Low Power,Async,256K x 16,45ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS62C25616EL-45TLI
- ISSI
-
1:
₩7,059.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-I62C25616EL45TLI
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,Low Power,Async,256K x 16,45ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩7,059.6
|
|
|
₩6,571.2
|
|
|
₩6,378.8
|
|
|
₩6,230.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩6,023.6
|
|
|
₩5,860.8
|
|
|
₩5,712.8
|
|
|
₩5,579.6
|
|
|
₩5,520.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
45 ns
|
|
Parallel
|
5.5 V
|
4.5 V
|
22 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
|
|
|
SRAM 64K,High-Speed,Async,8K x 8,10ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS
- IS61C64AL-10TLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩1,820.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS61C64AL10TLITR
|
ISSI
|
SRAM 64K,High-Speed,Async,8K x 8,10ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
64 kbit
|
8 k x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
5.25 V
|
4.75 V
|
50 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-28
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
- IS61LV6416-10BLI
- ISSI
-
480:
₩2,841.6
-
비재고 리드 타임 10 주
|
Mouser 부품 번호
870-IS61LV6416-10BLI
|
ISSI
|
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
|
|
비재고 리드 타임 10 주
|
|
|
₩2,841.6
|
|
|
₩2,812
|
|
|
₩2,664
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.63 V
|
3.135 V
|
130 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM
- IS62WV102416GALL-55TLI
- ISSI
-
1:
₩20,172.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-S62WV12416GA55TI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb 1.65-2.2V 55ns 1Mx16 Async SRAM
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩20,172.4
|
|
|
₩18,736.8
|
|
|
₩18,159.6
|
|
|
₩17,730.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩17,286.4
|
|
|
₩16,724
|
|
|
₩16,309.6
|
|
|
₩16,191.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
55 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
35 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-48
|
|
|
|
|
SRAM 512Kb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
- IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR
- ISSI
-
3,000:
₩3,492.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-S62WVS648FB20NIR
|
ISSI
|
SRAM 512Kb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
512 kbit
|
64 k x 8
|
|
20 MHz
|
SDI, SPI, SQI
|
3.6 V
|
2.2 V
|
8 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,1.65v-2.2v, 32 Pin TSOP (8x20 mm), RoHS
- IS62WV5128EALL-55TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩6,896.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-WV5128EALL55TLIT
|
ISSI
|
SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,1.65v-2.2v, 32 Pin TSOP (8x20 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TSOP-32
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,3.3v,48 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS
- IS61LV25616AL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩5,668.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
87061LV25616AL10BLIT
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,3.3v,48 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
3.135 V
|
110 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
- IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩22,303.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
87061W1016EDB10B2LIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/ERR2 Pins, RoHS
- IS61WV102416EDBLL-10T2LI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩21,252.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
87061W1016EDB10T2LIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ERR1/ERR2 Pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
|
|
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
- IS61WV102416EDBLL-10B2LI
- ISSI
-
480:
₩22,451.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
87061WV1016EDB10B2LI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩22,451.6
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
- IS61WV102416EDBLL-10BLI
- ISSI
-
480:
₩22,451.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
87061WV1016EDB10BLI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩22,451.6
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
- IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩22,303.6
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
87061WV1016EDB10BLIT
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ISSI
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 2,500
배수: 2,500
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16 Mbit
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1 M x 16
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10 ns
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Parallel
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3.6 V
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2.4 V
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95 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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BGA-48
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Reel
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
- IS61WV102416EDBLL-10TLI
- ISSI
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96:
₩22,703.2
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비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
87061WV1016EDB10TLI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩22,703.2
|
|
|
₩21,948.4
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₩21,400.8
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견적
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|
견적
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최소: 96
배수: 96
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|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
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3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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TSOP-48
|
Tray
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
- IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR
- ISSI
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1,500:
₩21,252.8
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비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
87061WV1016EDB10TLIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
|
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|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-48
|
Reel
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
- IS61WV102416BLL-10MLI-TR
- ISSI
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2,000:
₩33,492.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
87061WV102416BL1MLIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
|
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비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
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SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v
- IS61WV10248BLL-10MLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩22,984.4
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비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
87061WV10248BL10MLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb 1Mb x 8 10ns Async SRAM 3.3v
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
100 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
대한민국