ISSI SRAM

결과: 1,229
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ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin SOP, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tube
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin SOP, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 2.2v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 210
배수: 210

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,2Mb x 8,2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 25 ns 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-36 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (7.2x8.7mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 70 ns 2.2 V 1.65 V 4 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v-3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v-3.6v,32 Pin SOP, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 55 ns 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 312
배수: 312

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,55ns,1.65v-2.2v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

1 Mbit 55 ns 2.2 V 1.7 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,64K x 16,55ns,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

1 Mbit 55 ns 2.2 V 1.7 V 5 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel