ISSI SRAM

결과: 1,231
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

4 Mbit 256 k x 16 35 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 35 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS, 48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

1 Mbit 128 k x 8 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 1.65V-.2.2V, 30MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

4 Mbit 512 k x 8 30 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Serial SRAM, 2.7V-3.6V, 45MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

4 Mbit 512 k x 8 45 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 210
배수: 210

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 210
배수: 210

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44

ISSI SRAM 2Mb 128K x 16 45ns Async SRAM 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin SOP, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tube