|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV25616EFBLL-10TLI
- ISSI
-
1:
₩4,247.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV2516EFBLL0TI
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩4,247.6
|
|
|
₩3,848
|
|
|
₩3,759.2
|
|
|
₩3,655.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩3,566.8
|
|
|
₩3,108
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
35 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV25616EDALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩8,524.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV25616DA2BLIR
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
30 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV25616EDALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩8,909.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV25616EDA2BLI
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩8,909.6
|
|
|
₩8,850.4
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
30 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
Bulk
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩8,524.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV25616ELL8BLI
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
8 ns
|
|
Parallel
|
3.63 V
|
2.97 V
|
45 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩4,602.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV25DBLL10BLIT
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
35 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV3216DBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩3,981.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV321BLL10TLIT
|
ISSI
|
SRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩3,981.2
|
|
|
₩3,818.4
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
|
32 kbit
|
32 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
55 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
- IS61WV51216BLL-10MLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩22,984.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216B10MLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩21,741.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216DA2BLIR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
40 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EDALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩20,927.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216DA2TLIR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
40 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩21,889.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216EDA2BLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩21,889.2
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
40 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
Bulk
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EDALL-20TLI
- ISSI
-
135:
₩22,362.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51216EDA2TLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩22,362.8
|
|
|
₩21,622.8
|
|
|
₩21,075.2
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
40 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Bulk
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,512K x 32,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 90 Ball mBGA (8x13 mm), RoHS
- IS61WV51232BLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩33,492.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV51232B10BLIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,512K x 32,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 90 Ball mBGA (8x13 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
16 Mbit
|
512 k x 32
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-90
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS
- IS61WV5128BLL-10BLI-TR
- ISSI
-
1:
₩6,541.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV5128B10BLIT
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩6,541.6
|
|
|
₩6,038.4
|
|
|
₩5,860.8
|
|
|
₩5,727.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩4,662
|
|
|
₩5,594.4
|
|
|
₩5,416.8
|
|
|
₩5,283.6
|
|
|
₩5,239.2
|
|
|
₩4,662
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
45 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-36
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
SRAM 2Mb 128K x 16 2.5v- Async SRAM
- IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1:
₩5,727.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV5128EDB10TLI
|
ISSI
|
SRAM 2Mb 128K x 16 2.5v- Async SRAM
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩5,727.6
|
|
|
₩5,328
|
|
|
₩5,165.2
|
|
|
₩5,046.8
|
|
|
₩4,514
|
|
|
보기
|
|
|
₩4,928.4
|
|
|
₩4,765.6
|
|
|
₩4,662
|
|
|
₩4,454.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
35 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV5128FBLL-10BLI
- ISSI
-
480:
₩5,535.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV5128FBLL10BI
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩5,535.2
|
|
|
₩5,490.8
|
|
|
₩5,224.4
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-36
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩17,316
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV512BLL10BLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
50 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩16,946
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV512BLL10TLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
|
8 Mbit
|
516 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
50 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩17,789.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV512DBLL8TLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
8 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
55 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDBLL-8BLI
- ISSI
-
480:
₩18,603.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV512EDBLL8BLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩18,603.6
|
|
|
₩18,485.2
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
8 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
55 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩18,485.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV56EDBLL8BLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
8 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
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2.4 V
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55 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (10ns), 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩2,545.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV641EBLL10BLI
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,64K x 16,2.4V-3.6V (10ns), 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 1M, 2.5-3.6V, 10ns 64Kx16 Asynch SRAM
- IS61WV6416DBLL-10BLI
- ISSI
-
1:
₩5,416.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV646DBLL10BLI
|
ISSI
|
SRAM 1M, 2.5-3.6V, 10ns 64Kx16 Asynch SRAM
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩5,416.8
|
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|
₩5,032
|
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₩4,884
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₩4,780.4
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보기
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₩4,662
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₩4,514
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₩4,410.4
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₩4,366
|
|
|
₩4,188.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
55 mA
|
- 40 C
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+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,8ns/3.3v or 10ns/2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV6416DBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩4,188.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV66DBLL10BLIT
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async,64K x 16,8ns/3.3v or 10ns/2.5v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
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55 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
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|
|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS62WV102416EALL-55BLI
- ISSI
-
480:
₩17,197.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-62102416EAL55BLI
|
ISSI
|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩17,197.6
|
|
|
₩17,064.4
|
|
최소: 480
배수: 480
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16 Mbit
|
1 M x 16
|
55 ns
|
|
Parallel
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1.98 V
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1.65 V
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12 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
|
TFBGA-48
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|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS62WV102416EALL-55BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩17,064.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-62102416EL55BLT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v-1.98v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
55 ns
|
|
Parallel
|
1.98 V
|
1.65 V
|
12 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
Reel
|
|
대한민국