|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV25616FBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩4,978.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W25616FBLL0TIT
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩4,978.6
|
|
|
₩4,788.8
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
|
4 Mbit
|
256 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩13,315.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩12,760.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EALL2TIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩12,760.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1B2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩12,410
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EBL1T2IT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEALL-20BLI
- ISSI
-
480:
₩13,402.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2BI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩13,402.8
|
|
|
₩13,315.2
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV51216EEALL-20TLI
- ISSI
-
135:
₩13,636.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEALL2TI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩13,636.4
|
|
|
₩13,183.8
|
|
|
₩12,862.6
|
|
|
₩12,760.4
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10B2LI
- ISSI
-
480:
₩12,862.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEBL1B2I
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩12,862.6
|
|
|
₩12,760.4
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩12,760.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W51216EEBL1BIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
8 Mbit
|
512 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TFBGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV5128FBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩5,153.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W5128FBLL10BIT
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-36
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV5128FBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩3,314.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61W5128FBLL10TIT
|
ISSI
|
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
|
|
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
- IS61WV102416ALL-20TLI-TR
- ISSI
-
1,500:
₩37,200.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV102416A2TLIT
|
ISSI
|
SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
|
|
|
16 Mbit
|
1 M x 16
|
20 ns
|
|
Parallel
|
2.2 V
|
1.65 V
|
60 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10B2LI
- ISSI
-
480:
₩12,862.6
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV10248BL1B2LI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩12,862.6
|
|
|
₩12,760.4
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
mBGA-48
|
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩12,760.4
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV10BL10B2LITR
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
95 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
mBGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV10248EDBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩19,374.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV10DBLL10BLIT
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
50 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
|
Reel
|
|
|
|
SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV12816EFBLL-10TLI
- ISSI
-
1:
₩4,190.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV1216EFBLL0TI
|
ISSI
|
SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩4,190.2
|
|
|
₩3,796
|
|
|
₩3,708.4
|
|
|
₩3,606.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩3,518.6
|
|
|
₩3,066
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
10 ns
|
|
|
3.6 V
|
2.4 V
|
35 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV10248EEBLL-10TLI
- ISSI
-
135:
₩13,256.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV1248EBLL1TLI
|
ISSI
|
SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩13,256.8
|
|
|
₩12,833.4
|
|
|
₩12,512.2
|
|
|
₩12,410
|
|
최소: 135
배수: 135
|
|
|
8 Mbit
|
1 M x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
|
|
|
|
SRAM 2Mb (128K x 16) 10ns 2.4V-3.6V Async SRA
- IS61WV12816EDBLL-10TLI
- ISSI
-
1:
₩4,861.8
-
리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV12816D10TLI
|
ISSI
|
SRAM 2Mb (128K x 16) 10ns 2.4V-3.6V Async SRA
|
|
리드 타임 12 주
|
|
|
₩4,861.8
|
|
|
₩4,380
|
|
|
₩4,292.4
|
|
|
₩4,161
|
|
|
보기
|
|
|
₩4,058.8
|
|
|
₩3,839.8
|
|
|
₩3,825.2
|
|
|
₩3,810.6
|
|
|
₩3,737.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
35 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
TSOP-44
|
Tray
|
|
|
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV1288EEBLL-10BLI
- ISSI
-
480:
₩4,555.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV1288BL-10BLI
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩4,555.2
|
|
|
₩4,511.4
|
|
|
₩4,321.6
|
|
최소: 480
배수: 480
|
|
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
mBGA-48
|
|
|
|
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩4,482.2
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV1288BL10BLIT
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 2,500
배수: 2,500
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1 Mbit
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128 k x 8
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10 ns
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Parallel
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3.6 V
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2.4 V
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25 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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mBGA-48
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Reel
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SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩2,482
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-61WV1288EE10TLIR
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ISSI
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SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin TSOP II, RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
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₩2,482
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₩2,438.2
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최소: 1,000
배수: 1,000
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1 Mbit
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128 k x 8
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10 ns
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Parallel
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3.6 V
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2.4 V
|
25 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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TSOP-32
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Reel
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SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
- IS61WV10248EDBLL-10TLI-TR
- ISSI
-
1,000:
₩18,673.4
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-61WV1EDBLL10TLIR
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ISSI
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SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
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비재고 리드 타임 12 주
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최소: 1,000
배수: 1,000
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8 Mbit
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1 M x 8
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10 ns
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Parallel
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3.6 V
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2.4 V
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50 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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TSOP-44
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Reel
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SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
- IS61WV1288EEBLL-10HLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩2,409
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-61WV1EEBLL10HLIR
|
ISSI
|
SRAM 1Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,128K x 8,10ns/2.4v-3.6v, 32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
|
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비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
10 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
25 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
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SMD/SMT
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sTSOP-32
|
Reel
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
- IS61WV20488BLL-10MLI-TR
- ISSI
-
2,000:
₩33,039.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
870-61WV20488B10MLIT
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ISSI
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
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|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
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16 Mbit
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2 M x 8
|
10 ns
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Parallel
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3.6 V
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2.4 V
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100 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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BGA-48
|
Reel
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
- IS61WV20488FBLL-8BLI
- ISSI
-
480:
₩18,425.2
-
비재고 리드 타임 12 주
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Mouser 부품 번호
870-61WV20488FBLL8BI
|
ISSI
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SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
|
₩18,425.2
|
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견적
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|
견적
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최소: 480
배수: 480
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16 Mbit
|
2 M x 8
|
8 ns
|
|
Parallel
|
3.6 V
|
2.4 V
|
90 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
SMD/SMT
|
BGA-48
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대한민국