ISSI SRAM

결과: 1,231
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 256K,High-Speed,Async,32K x 8,12ns,5v,28 Pin TSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

256 kbit 32 k x 8 12 ns 83 MHz Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-28 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,512K x 8,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin sTSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480
1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, ECC, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

1.65 V 90 mA + 85 C BGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

2.2 V 1.67 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2.2 V 1.67 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed,Async,2Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2.2 V 1.67 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 12ns, 1.65v-2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 12 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,1Mb x 8,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 2 M x 8 8 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,2Mbx8,10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 2 M x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-54 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48