ISSI SRAM

결과: 1,231
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ISSI SRAM 2Mb 12ns 128Kx16 Async SRAM
480예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
최대: 32

2 Mbit 128 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 60 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT Tray
ISSI SRAM
1,199예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1
최대: 263

16 Mbit 16 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 300 uA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v
141예상 2026-02-17
최소: 1
배수: 1
최대: 200

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 275 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tube

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
99예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
최대: 35

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44

ISSI SRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM
61예상 2026-03-09
최소: 1
배수: 1
최대: 1

32 kbit 32 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 55 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS
117예상 2026-02-19
최소: 1
배수: 1
최대: 1

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32
ISSI SRAM 18Mb, 200Mhz 512K x 36 Sync SRAM
72예상 2026-07-14
최소: 1
배수: 1
최대: 13

18 Mbit 512 k x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,10ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
135예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
최대: 3

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.63 V 3.135 V 120 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Serial 3.6 V 2.2 V 5 mA, 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 2 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

8 Mbit 2 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 4 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 Mbit 4 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 210
배수: 210

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tube

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 8 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 비재고 리드 타임 10 주
최소: 480
배수: 480

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36

ISSI SRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tube
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,256K x 16,5v,44 Pin TSOP II, RoHS 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel