GSI Technology SRAM

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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
최대 클록 주파수
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
GSI Technology SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.02 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 10
배수: 10

144 Mbit 8 M x 18 833 MHz Parallel 1.35 V 1.25 V 1.9 A - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-260 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 330 mA, 400 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 10
배수: 10
144 Mbit 8 M x 18 500 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.37 A - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 36
배수: 36
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 255 mA, 260 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

288 Mbit 8 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 520 mA, 610 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 10
배수: 10

288 Mbit 16 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 410 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 8M x 36 288M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 10
배수: 10

288 Mbit 8 M x 36 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 850 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 18 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 2 M x 18 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 600 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 비재고 리드 타임 6 주
최소: 18
배수: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT TQFP-100
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 18
배수: 18

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 275 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 4 M x 18 7.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 290 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 14
배수: 14

72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 340 mA, 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 300 mA, 435 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
72 Mbit 1 M x 72 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 340 mA, 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 435 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 295 mA, 380 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 8M x 9 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 15
배수: 15
72 Mbit 8 M x 9 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 930 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray