Alliance Memory SRAM

결과: 552
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 16Mb, , 1M x 16, 2.7 3.6V, 48pin TSOP I (12 x 20mm), 45ns, Industrial Temp, B Die, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM 16Mb 1M x 16 Bit Low Power CMOS SRAM with switchable IO options x16 or x8 Tray 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 2Mb, 256K x 8, 3V, 32pin 450 mil SOP, 55ns, Industrial Temp - Tray 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Tray
Alliance Memory SRAM 2M, 2.7-3.6V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 234
배수: 234

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Tray
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
Alliance Memory SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M 512Kx8 70ns 2.7-5.5V Asynch AT 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 512 k x 8 70 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 256K x 16 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT sTSOP-28 Reel
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOP-28 Reel
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT sTSOP-28 Reel
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4048k x 16 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 1M x 8, 2.7 - 3.6V, 48ball TFBGA, 55ns, Industrial Temp - Tray 비재고 리드 타임 12 주
최소: 135
배수: 135

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Tray
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 1M x 8, 2.7 5.5V, 44pin TSOP II, 45ns, Industrial Temp, B Die, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
Alliance Memory SRAM LP SRAM, 8Mb, 1M x 8, 2.7 5.5V, 44pin TSOP II, 55ns, Industrial Temp, B Die, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel