R1RP0408DGE-2PI#B1

Renesas Electronics
968-R1RP0408DGE2PIB1
R1RP0408DGE-2PI#B1

제조업체:

설명:
SRAM SRAM 4MB FAST X8 5V SOJ 12NS -40TO85C

라이프사이클:
수명 종료:
제품 단종이 예정되어 있으며 제조업체에서 생산을 중단할 것입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 116

재고:
116 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
12 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩17,636.8 ₩17,637

제품 속성 속성 값 속성 선택
Renesas Electronics
제품 카테고리: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
512 k x 8
12 ns
5.5 V
4.5 V
130 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
SOJ-36
Tray
브랜드: Renesas Electronics
메모리 타입: SRAM
습도에 민감: Yes
제품 유형: SRAM
팩토리 팩 수량: 22
하위 범주: Memory & Data Storage
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
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속성 선택됨: 0

데이터시트

EOL

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

비동기 SRAM

Renesas Electronics 비동기 SRAM은 고성능, 고신뢰성 CMOS 기술을 기반으로 합니다. 기술 및 혁신적인 회로 설계 기법은 고속 비동기 SRAM 메모리 요구 사항을 위한 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다. 완전 정적 비동기식 회로는 작동을 위해 클록이나 새로 고침이 필요하지 않습니다. Renesas는 업계 표준 패키지 옵션을 사용하여 RoHS 6/6준수(녹색) 패키지로 비동기식 SRAM을 제공합니다.

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