Microchip Technology SRAM

결과: 132
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Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM IND 831재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND 88재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI 377재고 상태
최소: 1
배수: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND 479재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND 156재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube

Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND 335재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND 91재고 상태
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM EXT 231재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube

Microchip Technology SRAM 64K 8K X 8 2.7V SERIAL SRAM IND 422재고 상태
최소: 1
배수: 1

64 kbit 8 k x 8 25 ns 20 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 219재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube

Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat 264재고 상태
최소: 1
배수: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4k, 5.0V EERAM EXT 330재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 4k, 5.0V EERAM IND 171재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 kbit 512 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 16k, 5.0V EERAM IND 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 kbit 2 k x 8 400 ns 1 MHz I2C 5.5 V 4.5 V 400 uA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat
11,200예상 2026-05-25
최소: 1
배수: 1
: 3,300

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI
400예상 2026-06-11
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 1024K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

512 kbit 64 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-8 Tube
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat 비재고 리드 타임 4 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Microchip Technology SRAM 16k, 5.0V EERAM EXT 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

Reel
Microchip Technology SRAM 16k, 5.0V EERAM EXT 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Reel