3.4 ns SRAM

결과: 33
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 262재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 46재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 115재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 143 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 54재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 208재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 117재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 167MHz SRAM 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 4 M x 18 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 360
배수: 360

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 750
배수: 750
: 750

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 8 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 750
배수: 750
: 750

18 Mbit 1 M x 8 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 720
배수: 720

18 Mbit 1 M x 8 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 750
배수: 750
: 750

18 Mbit 1 M x 8 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 750
배수: 750
: 750

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS 비재고 리드 타임 20 주
최소: 750
배수: 750
: 750

18 Mbit 512 k x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 163 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM 36MB SRAM with ECC 비재고 리드 타임 20 주
최소: 750
배수: 750
: 750

36 Mbit 1 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 190 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 750
배수: 750
: 750

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 360
배수: 360

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 210
배수: 210

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz Sync SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 144
배수: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 18
배수: 6

9 Mbit 256 k x 36 3.4 ns 200 MHz Parallel 2.6 V 2.4 V 525 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 210
배수: 210
없음
72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 210
배수: 210
없음
72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray