SRAM

결과: 11,640
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 자격 포장
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 LP SRAM 1,071재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-36 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC 669재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

Infineon Technologies SRAM 4Mb 55ns 512K x 8 Low Power SRAM 886재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT STSOP-32 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb 3V 45ns 2M x 8 LP SRAM 1,092재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 256재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM CMOS RAM W ECC 4-Mbit 664재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tube
Renesas Electronics SRAM 8K X 16 DP SRAM 115재고 상태
최소: 1
배수: 1

128 kbit 8 k x 16 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 205재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 2,289재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 36재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 215 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M 7재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 6재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M 116재고 상태
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 130 mA, 140 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Microchip Technology SRAM 1024K 1.8V SPI SERIAL SRAM SQI EXT 154재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 32 ns 16 MHz SDI, SPI, SQI 2.2 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 125 C Through Hole PDIP-8 Tube
ISSI SRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM 929재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 256 k x 32 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-90 Tray
GSI Technology SRAM 144Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

144 Mbit 4 M x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 380 mA, 470 mA 0 C + 85 C SMD/SMT BGA-165
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 36재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M 9재고 상태
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 32 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 250 mA, 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M 17재고 상태
18예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 32 32M 13재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 32 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 32M 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 225 mA, 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M 4재고 상태
최소: 1
배수: 1

72 Mbit 1 M x 72 7.5 ns 200 MHz Parallel 2.7 V 1.7 V 295 mA, 405 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-209 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 36재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M 9재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 200 mA, 210 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M 31재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray