CA NVRAM

결과: 279
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스 인터페이스 타입 메모리 크기 조직 데이터 버스 너비 액세스 시간 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 작동 공급 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 256 kbit 32 k x 8 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14V256LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 3.4Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 I2C 1 Mbit 128 k x 8 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 85 C CY14B101I Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SSOP-48 CY14B101LA Reel, Cut Tape
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 675
배수: 675

TSOP-II-44 CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 64K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B101Q2A Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B104LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 CY14B104LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,080
배수: 1,080

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 598
배수: 598

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

FBGA-48 CY14B104NA Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B104NA Reel