4 Mbit NVRAM

결과: 13
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스 인터페이스 타입 메모리 크기 조직 데이터 버스 너비 액세스 시간 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 작동 공급 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 758재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM 68재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1250AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM 19재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM 55재고 상태
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250YP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM 7재고 상태
11예상 2026-06-04
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1250Y Tube
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM
11예상 2026-06-29
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1250Y Tube
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
281예상 2026-06-18
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 11
배수: 11

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1250W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 40
배수: 40

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1250WP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 11
배수: 11

EDIP-32 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1250Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery 비재고 리드 타임 11 주
최소: 400
배수: 40

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1350W Tray