256 kbit NVRAM

결과: 44
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설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
인터페이스 타입
메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
20재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
21재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1230W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1230W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
10재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 150 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1230W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
31재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 120 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tube
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM
데이터시트
27재고 상태
최소: 1
배수: 1

SSOP-48 256 kbit 32 k x 8 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B256LA Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
6재고 상태
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230AB Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 85 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monit
데이터시트
80예상 2026-07-20
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1330Y Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 150 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1230W Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

EDIP-28 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 200 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tube

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1230Y Tray

Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1230Y Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM with Battery
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 40
배수: 40

PowerCap Module-34 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA - 40 C + 85 C DS1330W Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 256 kbit 32 k x 8 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14V256LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 3.4Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 I2C 256 kbit 32 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B256I Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 40Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 3 mA - 40 C + 85 C CY14B256PA Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,990
배수: 2,990

FBGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14U256LA Tray
Infineon Technologies CY14U256LA-BA35XIT
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 256 kbit CY14U256LA Reel