1 Mbit NVRAM

결과: 43
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스 인터페이스 타입 메모리 크기 조직 데이터 버스 너비 액세스 시간 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 작동 공급 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 366재고 상태
최소: 1
배수: 1

SSOP-48 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 52 mA - 40 C + 85 C CY14B101LA Tube
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM 782재고 상태
최소: 1
배수: 1

SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B101Q2A Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 25재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 100 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1245AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1245AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 11재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 11재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 85 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA 0 C + 70 C DS1245AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 1024k Nonvolatile SRAM 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1245W Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 17재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 120 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 19재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 85 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1245Y Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 13재고 상태
최소: 1
배수: 1

EDIP-32 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 120 ns 5.25 V 4.75 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245AB Tube
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1245YP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM 비재고 리드 타임 10 주
최소: 40
배수: 40

PowerCap Module-34 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 70 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA - 40 C + 85 C DS1245YP Tray
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Moni 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1

PowerCap Module-34 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 100 ns 5.5 V 4.5 V 85 mA 0 C + 70 C DS1345Y Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 3.4Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 I2C 1 Mbit 128 k x 8 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 85 C CY14B101I Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B101Q2A Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray

Infineon Technologies NVRAM 1-Mbit (128KX8) Quad SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 33 mA - 40 C + 105 C CY14V101 Tube