+ 85 C NVRAM

결과: 72
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설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
인터페이스 타입
메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,495
배수: 1,495

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 20ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108M Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108M Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
데이터시트
제품 코멘트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 3.4Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 I2C 256 kbit 32 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B256I Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 40Mhz 32K x 8 SPI nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 3 mA - 40 C + 85 C CY14B256PA Reel
Infineon Technologies NVRAM 512Kb 3V 40Mhz 64K x 8 SPI nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SOIC-8 SPI 512 kbit 64 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 3 mA - 40 C + 85 C CY14B512Q2A Reel
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,990
배수: 2,990

FBGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14U256LA Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-165 Parallel 16 Mbit 512 k x 32 32 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XIT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

FBGA-165 Parallel 16 Mbit 512 k x 32 32 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B116 Reel