Infineon NVRAM

결과: 163
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Infineon Technologies CY14V104NA-BA25XI
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 25ns 256K x 16 nvSRAM 315재고 상태
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 CY14V104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM 109재고 상태
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM 37재고 상태
최소: 1
배수: 1

SSOP-48 256 kbit 32 k x 8 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B256LA Tube
Infineon Technologies NVRAM Non Volatile SRAMs 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 45 ns 3.6 V 3 V 35 mA - 40 C + 125 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies CY14V101Q3-SFXI
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM 124재고 상태
최소: 1
배수: 1

SOIC-16 CY14V101Q3 Tube
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 20ns 1024K x 8 nvSRAM
135예상 2026-03-19
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 3V 25ns 32K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B256LA Reel, Cut Tape
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 256 kbit 32 k x 8 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14V256LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

FBGA-48 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 3.4Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 I2C 1 Mbit 128 k x 8 3.6 V 2.7 V 400 uA - 40 C + 85 C CY14B101I Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSOP-48 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 675
배수: 675

TSOP-II-44 CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 CY14B101LA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 25ns 64K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B101NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 3.6 V 2.7 V 1 mA - 40 C + 85 C CY14B101Q2A Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,350
배수: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel