CA NAND 플래시

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공급 전압 - 최대
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
포장

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
데이터시트
480주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
데이터시트
480주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
Alliance Memory AS5F18G04SND-10LIN
Alliance Memory NAND 플래시 SPI SLC NAND 플래시, 8Gb, 1.8V, 100Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
데이터시트
352예상 2026-04-27
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT LGA-8 8 Gbit Quad SPI 1 G x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.98 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND 플래시 1G 3V x8 1-bit NAND 플래시
데이터시트
35예상 2026-05-18
최소: 1
배수: 1
최대: 55

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 4,800
배수: 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 4,800
배수: 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 1.7 V 2 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000
SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU2GxF2A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU2GxF2A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU2GxF3A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU2GxF3A 2 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 GD9FU4GxF3A 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FU4GxF3A 4 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,100
배수: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND 플래시
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 960
배수: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray