IS37SM Flash Memory Devices

ISSI IS37SM Flash Memory Devices are 1Gb/2Gb devices that are based on the standard parallel NAND Flash. These SLC SPI-NAND memory devices provide an advanced write protection mechanism for data security, such as software write protection with a block lock register. The IS37SM Flash memory devices feature Single-Level Cell (SLC) technology, user-selectable internal 8-bit ECC, and first page auto-load on power up. These devices include ten pages of One-Time Programmable (OTP) Flash memory area and offer 10 years of data retention. The IS37SM Flash memory devices are ideal for systems that require a minimum pin count.

결과: 20
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최고 작동온도
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ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 192재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 4

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 149재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 25

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND 플래시 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray
데이터시트
108재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 9

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND 플래시 1G 3.3V 104MHz Serial NAND 플래시
데이터시트
3,115재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 934

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT
데이터시트
480주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
데이터시트
480주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
데이터시트
480주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C