ISSI NAND 플래시

결과: 83
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ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW02G084 16 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND 플래시 2Gbit (x8, 4 bit ECC), TSOP-48, 1.8V, RoHS, IT, T& R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34MW02G084 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 4Gb (x8, 8bit ECC), TSOP-48, 3V, RoHS, IT, , AutoGrade 비재고 리드 타임 12 주
최소: 96
배수: 96

SMD/SMT VFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI NAND 플래시 8 Gb (x16, 8bit ECC), 64 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT VFBGA-63 8 Gbit Parallel 1 G x 8/512 M x 16 Asynchronous 8 bit, 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 105 C Reel

ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND 플래시 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel
ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, Auto Grade, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 105 C Reel

ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 20 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TFBGA-24 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C Reel
ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, T&R, Auto Grade 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8-bit 1.7 V 1.95 V 18 mA - 45 C + 105 C Reel
ISSI NAND 플래시 1 Gb, 1bit ECC, WSON-8 (8x6mm), 3.3V, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SMD/SMT SOIC-16 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Reel

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 22 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND 플래시 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

SMD/SMT WSON-8 4 Gbit SPI 128 M x 16 8 bit 2.7 V 3.6 V 50 uA - 40 C + 85 C Tray

ISSI NAND 플래시 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

SMD/SMT TFBGA-24 2 Gbit SPI 128 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C