CA MRAM(자기 메모리)

결과: 658
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수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
인터페이스 타입
메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
436재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
292재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C
데이터시트
254재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C
데이터시트
365재고 상태
최소: 1
배수: 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
269재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리)
데이터시트
19재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
1,140재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
데이터시트
567재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
데이터시트
706재고 상태
940예상 2026-04-01
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
405재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
316재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
291재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
148재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(자기 메모리)
데이터시트
54재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
101재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
270재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
280재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
401재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
데이터시트
24재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray


Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13ES2T
데이터시트
47재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 32Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
데이터시트
134재고 상태
최소: 1
배수: 1

FBGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3032316 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
데이터시트
70재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
데이터시트
67재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
데이터시트
123재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
227재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Tray