CA MRAM(자기 메모리)

결과: 658
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수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
인터페이스 타입
메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 270
배수: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 696
배수: 348

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 270
배수: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 270
배수: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 696
배수: 348

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,140
배수: 570

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,140
배수: 570

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,140
배수: 570

DFN-8 SPI 4 Mbit 812 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA 0 C + 70 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 812 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA 0 C + 70 C MR25H40 Reel