CA MRAM(자기 메모리)

결과: 658
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수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
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메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 960
배수: 480

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXOAB320IS2R
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313CS2R
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최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313CS2T
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최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
데이터시트
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최소: 960
배수: 480

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
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최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
데이터시트
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최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313IS2R
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQAB313IS2T
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13CS2R
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13CS2T
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 580
배수: 290
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 580
배수: 290

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2R
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2T
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 580
배수: 290
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 696
배수: 348

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel