|
|
MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2R
- EM128LXQADG13IS1R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩364,420
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-M128LXQADG13IS1R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2R
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
- EM128LXQADG13IS2R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩364,617.6
-
비재고 리드 타임 26 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
936-M128LXQADG13IS2R
신제품
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
128 Mbit
|
16 M x 8
|
|
|
1.65 V
|
2 V
|
125 mA, 157 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A08BCMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩25,186.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A08BCMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A08BCYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩28,515.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A08BCYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
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MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A08BMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩23,453.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A08BMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
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BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
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128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
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|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
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MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A08BYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩23,894.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A08BYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
25 mA, 55 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A08B
|
Reel
|
|
|
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MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16ACMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩24,517.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16ACMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
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64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
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MR0A16A
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Reel
|
|
|
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MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16ACYS35R
- Everspin Technologies
-
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₩24,958.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16ACYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
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배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
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55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
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MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16AMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩21,705.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16AMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
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64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16AMYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩38,760
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16AMYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16AVMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩26,600
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16AVMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16AVYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩27,329.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16AVYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
- MR0A16AYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩23,514.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR0A16AYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
1 Mbit
|
64 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR0A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C
- MR10Q010CMBR
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩14,029.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR10Q010CMBR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C
- MR10Q010CSCR
- Everspin Technologies
-
1:
₩18,270.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR10Q010CSCR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩18,270.4
|
|
|
₩16,978.4
|
|
|
₩16,461.6
|
|
|
₩16,066.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩14,394.4
|
|
|
₩15,671.2
|
|
|
₩15,154.4
|
|
|
₩14,774.4
|
|
|
₩14,394.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR10Q010
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C
- MR10Q010MBR
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩12,585.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR10Q010MBR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C
- MR10Q010SCR
- Everspin Technologies
-
1:
₩16,385.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR10Q010SCR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩16,385.6
|
|
|
₩15,230.4
|
|
|
₩14,774.4
|
|
|
₩14,409.6
|
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|
보기
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|
|
₩11,916.8
|
|
|
₩14,060
|
|
|
₩13,604
|
|
|
₩13,269.6
|
|
|
₩11,916.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
0 C
|
+ 70 C
|
MR10Q010
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 - +105C
- MR10Q010VMBR
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩15,853.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR10Q010VMBR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 - +105C
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-24
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리)
- MR10Q010VSCR
- Everspin Technologies
-
1,000:
₩15,352
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR10Q010VSCR
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
SOIC-16
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
7 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
60 mA, 100 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR10Q010
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR1A16ACMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩29,442.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16ACMA35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
BGA-48
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR1A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR1A16ACYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩31,616
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16ACYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR1A16A
|
Reel
|
|
|
|
MRAM(자기 메모리)
- MR1A16AMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩29,564
-
비재고 리드 타임 26 주
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Mouser 부품 번호
936-MR1A16AMA35R
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Everspin Technologies
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MRAM(자기 메모리)
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비재고 리드 타임 26 주
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최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
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BGA-48
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Parallel
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2 Mbit
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128 k x 16
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16 bit
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35 ns
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3 V
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3.6 V
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55 mA, 105 mA
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0 C
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+ 70 C
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MR1A16A
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Reel
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MRAM(자기 메모리)
- MR1A16AMYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩46,633.6
-
비재고 리드 타임 26 주
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Mouser 부품 번호
936-MR1A16AMYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
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비재고 리드 타임 26 주
|
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최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
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TSOP-II-44
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Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR1A16A
|
Reel
|
|
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MRAM(자기 메모리)
- MR1A16AVMA35R
- Everspin Technologies
-
2,000:
₩34,823.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16AVMA35R
|
Everspin Technologies
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MRAM(자기 메모리)
|
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비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
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|
BGA-48
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR1A16A
|
Reel
|
|
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MRAM(자기 메모리)
- MR1A16AVYS35R
- Everspin Technologies
-
1,500:
₩32,208.8
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
936-MR1A16AVYS35R
|
Everspin Technologies
|
MRAM(자기 메모리)
|
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비재고 리드 타임 26 주
|
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최소: 1,500
배수: 1,500
:
1,500
|
|
|
TSOP-II-44
|
Parallel
|
2 Mbit
|
128 k x 16
|
16 bit
|
35 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
55 mA, 105 mA
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
MR1A16A
|
Reel
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