Reel MRAM(자기 메모리)

결과: 328
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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2R 비재고 리드 타임 26 주
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: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
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: 2,000

BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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BGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
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TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 to +85C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
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: 1,000

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 85 C MR10Q010 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
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SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) -40 - +105C 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-24 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA - 40 C + 105 C MR10Q010 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
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배수: 1,500
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TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
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TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
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BGA-48 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR1A16A Reel