+ 70 C MRAM(자기 메모리)

결과: 130
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Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 770재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리) 609재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(자기 메모리) 0 to +70C 899재고 상태
최소: 1
배수: 1

SOIC-16 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 7 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 100 mA 0 C + 70 C MR10Q010 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리) 282재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 910재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Tray


Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 82재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Tray

Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 85재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-24 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리) 259재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
810예상 2026-06-17
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(자기 메모리) 189재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 3.3V 32Mb MRAM(자기 메모리) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 3재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 4Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 8Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C EMxxLX Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 8Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C EMxxLX Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 8Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C EMxxLX Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 8Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C EMxxLX Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 8Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
DFN-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C EMxxLX Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 8Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 580
배수: 290
DFN-8 SPI 8 Mbit 1 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C EMxxLX Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 16Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C EMxxLX Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 16Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 960
배수: 480
BGA-24 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C EMxxLX Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) IC RAM 16Mb Quad SPI in 24-BGA 133 MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C EMxxLX Reel