+ 125 C MRAM(자기 메모리)

결과: 36
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수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
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메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
데이터시트
100재고 상태
39예상 2027-01-15
최소: 1
배수: 1

BGA-24 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
데이터시트
100재고 상태
39예상 2027-01-15
최소: 1
배수: 1

BGA-24 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
데이터시트
200재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,057재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
1,234재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
데이터시트
1,714재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
데이터시트
1,192재고 상태
2,280예상 2026-09-17
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
5재고 상태
216예상 2026-10-14
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리)
데이터시트
11재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
데이터시트
90예상 2027-01-15
최소: 1
배수: 1

DFN-8 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
데이터시트
9,380주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
252예상 2026-09-09
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(자기 메모리)
데이터시트
258예상 2026-09-16
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR0A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 270
배수: 135

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 2 Mbit 128 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR1A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 128 kbit 16 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H128A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 32Kx8 SPI
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H256 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Pre-Qual Sample MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 216
배수: 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Reel