8 bit MRAM(자기 메모리)

결과: 245
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수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
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메모리 크기
조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
266재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
189재고 상태
270예상 2026-07-15
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
데이터시트
9재고 상태
4,000예상 2026-11-09
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 4,000

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM(자기 메모리)
데이터시트
7재고 상태
1,140예상 2026-12-02
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(자기 메모리)
데이터시트
72재고 상태
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
데이터시트
93재고 상태
최소: 1
배수: 1

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
데이터시트
24재고 상태
최소: 1
배수: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
데이터시트
1,140예상 2026-12-02
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
데이터시트
3,372주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
데이터시트
3,373주문 중
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
810예상 2026-06-22
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
268예상 2026-07-15
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM(자기 메모리)
데이터시트
10,350예상 2026-07-15
최소: 1
배수: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
675예상 2026-07-15
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
270예상 2026-07-15
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
270예상 2026-07-15
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,365
배수: 455

WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3008204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,365
배수: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리)
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
데이터시트
재고 없음
최소: 1,200
배수: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리)
데이터시트
재고 없음
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리) Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
데이터시트
재고 없음
최소: 1,365
배수: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology MRAM(자기 메모리)
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel