Tube F램

결과: 136
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 인터페이스 타입 최대 클록 주파수 조직 패키지/케이스 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 자격 포장

RAMXEED F램 2Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - SOP8 tube (125C) 비재고 리드 타임 21 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit SPI 50 MHz 256 k x 8 SOP-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C Tube

RAMXEED F램 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) tube (125C) 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit SPI 50 MHz 512 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube
RAMXEED F램 4 M (512 K x 8) Bit SPI 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Tube
RAMXEED F램 4 M (512 K x 8) Bit SPI 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Tube
RAMXEED F램 4 M (512 K x 8) Bit SPI 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Tube
RAMXEED F램 4 M (512 K x 8) Bit SPI 재고 없음
최소: 1
배수: 1
Tube
RAMXEED F램 8 M (1 M 8) Bit 재고 없음
최소: 1
배수: 1
1 Mbit SPI 50 MHz 128 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube
RAMXEED F램 4 M (256 K 16) Bit 재고 없음
최소: 1
배수: 1
1 Mbit SPI 50 MHz 128 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube
RAMXEED F램 256 K (32 K x 8) Bit 재고 없음
최소: 1
배수: 1
1 Mbit SPI 50 MHz 128 k x 8 SOP-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C Tube
RAMXEED F램 256kbit FeRAM, I2C, 1.8V, 125C AECQ100 - SOP8 (150mil) Tube 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
Tube
RAMXEED F램 256kbit FeRAM, I2C, 3V, 125C AECQ100 - SOP8 (150mil) Tube 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1
Tube
RAMXEED F램 512kbit FeRAM, I2C, 1.8V, 125C AECQ100 - SOP8 (150mil) Tube 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
Tube
RAMXEED F램 512kbit FeRAM, I2C, 3V, 125C AECQ100 - SOP8 (150mil) Tube 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
Tube
RAMXEED F램 512kbit FeRAM, SPI, 3V, 125C AECQ100 - SOP8 (150mil) Tube 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
Tube
Infineon Technologies F램 FRAM 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

1 Mbit SPI 50 MHz 128 k x 8 SOIC-8 1.8 V 3.6 V - 40 C + 125 C EXCELON F-RAM Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

64 kbit I2C 1 MHz 8 k x 8 SOIC-8 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C CY15B064J Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

4 kbit I2C 1 MHz 512 k x 8 SOIC-8 3 V 3.6 V - 40 C + 125 C CY15E004J Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

16 kbit I2C 1 MHz 2 k x 8 SOIC-8 5 V 5 V - 40 C + 85 C CY15E016J Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

16 kbit SPI 20 MHz 2 k x 8 SOIC-8 4.5 V 5.5 V - 40 C + 85 C CY15E016Q Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial 비재고 리드 타임 20 주
최소: 970
배수: 970

64 kbit I2C 1 MHz 8 k x 8 SOIC-8 4.5 V 5.5 V - 40 C + 125 C CY15E064J Tube

RAMXEED F램 2Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 tube (125C) 비재고 리드 타임 21 주
최소: 1
배수: 1

2 Mbit SPI 33 MHz, 40 MHz 256 k x 8 SOP-8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 125 C Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

4 kbit I2C 1 MHz 512 k x 8 SOIC-8 4.5 V 5.5 V - 40 C + 85 C CY15E004J Tube
Infineon Technologies F램 F램 Memory Serial 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

4 kbit SPI 20 MHz 512 k x 8 SOIC-8 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C CY15B004Q Tube
RAMXEED MB85RS512LYPNF-G-BCE1
RAMXEED F램 512kbit FeRAM, SPI, 1.8V, 125C, SOP8 (150mil) Tube 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
Tube
RAMXEED MB85RS256LYAPNF-G-BCE1
RAMXEED F램 8 M (1024 K x 8) Bit Quad SPI 비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1
Tube