-ar EEPROM

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Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V IND 1/2 ARRAYW 비재고 리드 타임 7 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TDFN-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C 24LC01B Reel

Microchip Technology EEPROM 2K 256X8 SERIAL EE 1.5V 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 PDIP-8 900 ns 1.5 V 3.6 V Through Hole 200 Year - 20 C + 85 C 24VL024 Tube
Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 2.5V SER EE IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

8 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 1 k x 8 SOIC-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 2.5V EXT 1/2 ARRAYWP 비재고 리드 타임 7 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 SC-70-5 3.5 us 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C 24LC01B Reel
Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 1.8V SER EE IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

8 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 1 k x 8 MSOP-8 3.5 us 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Tube

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 256 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Tube

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C 24AA01 Tube
Microchip Technology EEPROM 8K 1K X 8 2.5V SER EE EXT 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

8 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 1 k x 8 MSOP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 MSOP-8 900 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C 24AA01 Tube

Microchip Technology EEPROM 1K 128 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C 24AA01 Reel
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

2 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 256 x 8 SOIC-8 900 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 16K 2KX8 1.8V SERIAL EE IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

16 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 2 k x 8 SOIC-8 3.5 us 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 16K 2KX8 2.5V SERIAL EE IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 2 k x 8 MSOP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 16K 2KX8 2.5V SERIAL EE IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

16 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 2 k x 8 SOIC-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 16K 2KX8 2.5V SERIAL EE EXT 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

16 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 2 k x 8 SOIC-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Reel

Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

2 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 256 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 16K 2KX8 2.5V SERIAL EE EXT 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

16 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 2 k x 8 TDFN-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Reel
Microchip Technology EEPROM 2K 256 X 8 SERIAL EE 18V IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 256 x 8 MSOP-8 900 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 16K 2KX8 1.8V SERIAL EE IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 2 k x 8 MSOP-8 3.5 us 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel

Microchip Technology EEPROM 32K 4K X 8 2.5V SER EE EXT 1/4AWP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

32 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 4 k x 8 SOT-23-5 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Reel

Microchip Technology EEPROM 16K 2KX8 1.8V SERIAL EE IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 2 k x 8 TSSOP-8 3.5 us 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology EEPROM 16K 2KX8 2.5V SERIAL EE EXT 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

16 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 2 k x 8 MSOP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Reel
Microchip Technology EEPROM 16K 2KX8 1.8V SERIAL EE IND 1/2 ARRAY WP 비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

16 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 2 k x 8 MSOP-8 3.5 us 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology EEPROM 8Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-UDFN, IND W/WHOLE ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

UDFN-8 Reel
Microchip Technology EEPROM 4Kb I2C EEPROM, 1MHz 1.7-5.5V, 8-UDFN, EXT W/HALF ARRAY WP 비재고 리드 타임 6 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

4 kbit I2C 1 MHz 256 x 8 UDFN-8 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year - 40 C + 125 C Reel