CA DRAM

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공급 전압 - 최대
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시리즈
포장
Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 16 200/264 TFBGA 1 IT
데이터시트
제품 코멘트
565재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 565

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 2.133 GHz TFBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Micron DRAM LPDDR5 32G 512MX64 FBGA QDP
제품 코멘트
176재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 176
릴: 1,500

SDRAM Mobile - LPDDR5 32 Gbit 64 bit 3.2 GHz 512 M x 64 1.05 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Micron DRAM DDR4 8Gbit 16 96/144TFBGA 1 CT
데이터시트
제품 코멘트
39재고 상태
6,120주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM - DDR4 8 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 16 13.75 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C Tray
Micron DRAM DDR5 16Gbit 8 82/143 VFBGA 1 CT
데이터시트
제품 코멘트
156재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 156

FBGA-82 Tray

Winbond DRAM 2Gb DDR3L 1.35V SDRAM, x16, Industrial Temp. 933MHz T&R
데이터시트
2,615재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2,618
릴: 3,000

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit VFBGA-96 128 M x 16 20 ns 1.35 V - 40 C + 95 C W632GU6NB Reel, Cut Tape
Winbond DRAM 128Mb HyperRAM x16, 200MHz, Ind temp, 1.8V 506재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 490

HyperRAM 128 Mbit 16 bit 200 MHz WFBGA-49 35 ns 1.35 V 1.8 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR4, 16Gb, 1G x 16, 1.2V, 96-Ball FBGA SDRAM, Commercial Temp - Tray
데이터시트
360재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 16 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 1 G x 16 13.75 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
220재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
438재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 21
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVH16M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
596재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 135
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
1,871재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 180
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI
ISSI DRAM 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
501재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 64 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
Infineon Technologies S80KS2562GABHI023
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
2,500재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Reel, Cut Tape
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
303재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642GABHB020
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
219재고 상태
최소: 1
배수: 1

Tray
ISSI IS49NLC36800A-25EWBL
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS
데이터시트
81재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
83재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 3

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
387재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 18

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM LPSDRAM, 256M, 8MX 32, 1.8V, 90 BALL, BGA, 8 X 32MM, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP, B DIE
데이터시트
222재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
데이터시트
91재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
데이터시트
280재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 19 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
데이터시트
331재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 33

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 19 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS
데이터시트
444재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 7

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT
데이터시트
1,050재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 186

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI DRAM 128M, 3.3V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS
데이터시트
410재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 125

SDRAM Mobile BGA-54 IS42SM16800H Reel