CA DRAM

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT 378재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 172

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS 447재고 상태
2,052예상 2026-04-20
최소: 1
배수: 1
최대: 914

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT 228재고 상태
432예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 176

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 238재고 상태
1,680예상 2026-03-20
최소: 1
배수: 1
최대: 715

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS 172재고 상태
324예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1
최대: 150

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 51재고 상태
480예상 2026-06-22
최소: 1
배수: 1
최대: 121

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 455재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 32

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 36 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 148재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 24

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 159재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 15

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Micron MT53E768M16D1ZW-046 AAT:C
Micron DRAM LPDDR4 12Gbit 16 200/264 TFBGA 1 AT 132재고 상태
1,360예상 2026-11-23
최소: 1
배수: 1
최대: 1,000

SDRAM Mobile - LPDDR4 12 Gbit 16 bit 2.133 GHz TFBGA-200 768 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI IS43LD32128C-18BPLI
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT 426재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI IS66WVH16M8DBLL-100B1LI-TR
ISSI DRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 2,479재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 4
: 2,500
HyperRAM 128 Mbit 8 bit 100 MHz TFBGA-24 16 M x 8 40 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Micron MT53E1G32D2FW-046 AIT:B
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT 1,386재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1,000

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 1 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Micron MT53E1G32D2FW-046 IT:B
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 TFBGA 2 IT 942재고 상태
1,360예상 2026-11-23
최소: 1
배수: 1
최대: 1,000

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 1 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Tray
Infineon Technologies S80KS2562GABHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 367재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S27KL0642DPBHI020
Infineon Technologies DRAM SPCM 1,002재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 166 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S27KS0642GABHI023
Infineon Technologies DRAM SPCM 2,506재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies S70KS1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 751재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial 210재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V 0 C + 85 C KTDM Tray
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 563재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 69

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT 87재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1,000

SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 1 G x 32 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
Kingston DRAM 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz 12재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 1.86 GHz FBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.1 V 1.8 V - 40 C + 95 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 9재고 상태
338예상 2026-03-12
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 3.3V, 4Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86 364재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM1232SD Tray