Bulk DRAM

결과: 36
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 18 20 ns 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS18320A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz FBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 비재고 리드 타임 28 주
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA 재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 576 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 64 M x 9 1.7 V 2.63 V 0 C + 95 C IS49NLS96400A Bulk
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS 재고 없음
최소: 171
배수: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 64 M x 32 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD32640B Bulk
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS 재고 없음
최소: 171
배수: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 64 M x 32 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD32640B Bulk
ISSI DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz RLDRAM2 재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS18160 Bulk
ISSI DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz RLDRAM2 재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS18160 Bulk
ISSI DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2 재고 없음
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Bulk
Alliance Memory MT40A1G16TD-062E:F
Alliance Memory DRAM DDR4 (Micron), 16Gb, 1Gx16, 1.2V, 96-ball FBGA (9x13mm), 1600MHz, Commercial Temp 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
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