- 40 C Bulk DRAM

결과: 18
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수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 512Mb 32Mx16 166MHz Mobile SDRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async EDO DRAM
데이터시트
314재고 상태
351예상 2026-08-05
최소: 1
배수: 1

EDO DRAM 16 Mbit 16 bit TSOP-II-44 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16100D Bulk
ISSI DRAM 16Mb 1Mx16 50ns Async FP DRAM
데이터시트
81재고 상태
최소: 1
배수: 1

FPM DRAM 16 Mbit 16 bit TSOP-II-44 1 M x 16 50 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS41LV16105D Bulk
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
데이터시트
696주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 32 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 209
배수: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320E Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS49NLC18160 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x36, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 36 bit 300 MHz WBGA-144 8 M x 36 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC36800 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLC93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 400 MHz WBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 9 bit 300 MHz FBGA-144 32 M x 9 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS93200 Bulk
ISSI DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 400MHz RLDRAM2
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 400 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS18160 Bulk
ISSI DRAM 288Mbit x18 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
데이터시트
재고 없음
최소: 104
배수: 104

RLDRAM2 288 Mbit 18 bit 300 MHz WBGA-144 16 M x 18 1.7 V 2.63 V - 40 C + 85 C IS49NLS18160 Bulk
ISSI DRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Bulk