64 Mbit DRAM

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수량 RoHS ECAD 모델 타입
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데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 348
배수: 348

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 348
배수: 348

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 348
배수: 348

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 240
배수: 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
N/A
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
재고 없음
최소: 240
배수: 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 240
배수: 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.66 V - 40 C + 105 C

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 166 MHz TFBGA-24 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 4Mx16 SDR SDRAM
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 4Mx16 SDR SDRAM
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16400J Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Reel