512 Mbit DRAM

결과: 294
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ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V 34재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400F
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM 111재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
ISSI DRAM 512M 32Mx16 166MHz DDR 2.5V 31재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320F
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Automotive Temp - Tray 101재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 64M x 8 COM TEMP 133재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C MT48LC Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS 90재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S86400F Tray
ISSI DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM 147재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16320C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM 146재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 135재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed 2,618재고 상태
최소: 1
배수: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84 418재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-60 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM5116D2 Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 175재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM5116SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54 213재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5116SD Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 235재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 16Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86 139재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5132SD Tray
Alliance Memory DRAM DDR4, 8Gb, 512M x 16, 1.2V, 96-ball FBGA, 1600Mhz, Commercial Temp Rev.A - Reel 851재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,500

SDRAM - DDR4 512 Mbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-96 512 M x 8 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM 1,492재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M16SB Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 64M x 8, 1.8V, 400Mhz, 60-ball FBGA, Industrial Temp - Tray 1,475재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C64M8D2 Tray
Micron DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT 2,466재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C MT47H Tray
ISSI DRAM 512Mb, 3.3V, 143MHz 32Mx16 SDR SDRAM 154재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16320D Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 44재고 상태
676주문 중
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 81재고 상태
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM 17재고 상태
338예상 2026-08-07
최소: 1
배수: 1

HyperRAM 512 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 32M x 16 DDR2 351재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320D Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tray 1,318재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C32M16D2A Tray