4 Gbit DRAM

결과: 199
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
11,327주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
4,152예상 2026-07-01
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tray
726주문 중
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.2 GHz FBGA-78 512 M x 8 18 ns 1.14 V 1.26 V - 40 C + 95 C AS4C512M8D4-83 Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4, 4G, 128M x 32, 1.1V, 200 BALL TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP - Tray
367예상 2026-06-05
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Commercial Temp - Tray
627예상 2026-06-02
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IS43QR16256B Tray
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
380주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16256B
ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
380주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
132주문 중
최소: 1
배수: 1

4 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 256 X 16, 1.2V, 96-Ball FBGA, 1333MHZ, Commercial Temp - Tray
396예상 2026-06-04
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C AS4C256M16D4-75 Tray
Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 256 X 16, 1.2V, 96-Ball FBGA, 1200MHZ, Commercial Temp - Tray 383재고 상태
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.2 GHz FBGA-96 256 M x 16 18 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C AS4C256M16D4-83 Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 933MHz, Industrial Temp - Tray
209예상 2026-10-06
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
417예상 2026-06-01
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 105 C Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 256MX16 1866Mbps 1.35V/1.5V 96-FBGA Commercial 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Industrial 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
Kingston DRAM 4Gb 96 ball FBGA DDR4 3200 256Mx16 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C Tray
Kingston DRAM 4Gb 96 ball FBGA DDR3L 1866 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
최대: 20

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit FBGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.5 V 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM4G08D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IM4G08D3 Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C KTDM Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C IME4G32L4 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray