2 Gbit DRAM

결과: 188
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 타입 메모리 크기 데이터 버스 너비 최대 클록 주파수 패키지/케이스 조직 액세스 시간 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Intelligent Memory DRAM DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM2G16D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60 비재고 리드 타임 26 주
최소: 264
배수: 264

SDRAM - DDR2 2 Gbit 4 bit 400 MHz FBGA-60 512 M x 4 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IM2G04D2 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G08D2 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G16D2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 128 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 128 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,090
배수: 2,090

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 128 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C128M16D2A-25 Reel
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,420
배수: 2,420

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,090
배수: 2,090

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 128 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 비재고 리드 타임 40 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 비재고 리드 타임 24 주
최소: 190
배수: 190
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C Reel
ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 128 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16128C