1 Gbit DRAM

결과: 178
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ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM 108재고 상태
209예상 2026-05-27
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 70 C IS43DR16640B Tray
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 263재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 315재고 상태
242예상 2027-02-18
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 64M X 16, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE) INDUSTRIAL TEMP - Tray 25재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 16 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M16MD2A Tray
Alliance Memory DRAM 1GB, 2.5V, 166Mhz 64M x 16 DDR1 6재고 상태
최소: 1
배수: 1
SDRAM - DDR 1 Gbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M16D1 Tray
ISSI IS43LD16640C-25BLI
ISSI DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V 156재고 상태
342주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz 64 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16640C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 81재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1600MT/s @ 10-10-10, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS 126재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 8 bit 1.066 GHz BGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C
Alliance Memory DRAM DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 60-BALL BGA, 166 MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR 1 Gbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 64 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M16D1A Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 1G, 64M x 16, 1.8V, 96-ball BGA, 400 MHz, (A-die), Industrial Temp - Tray
418예상 2026-06-02
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D2A Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Industrial Temp - Tray
190예상 2026-07-14
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D3B Tray
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, (B-die), INDUSTRIAL TEMP - Tray
380예상 2026-10-21
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C AS4C64M16D3LB Tray
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
1,294주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16640C
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
1,500예상 2026-12-16
최소: 1
배수: 1
: 1,500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16640CL Reel, Cut Tape
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16
2,508주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16640C
Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray
124예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C AS4C64M16D3B Tray
Alliance Memory AS4C64M16MD2A-25BINTR
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 64M X 16, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE) INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
1,950예상 2026-08-20
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 16 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M16MD2A Reel, Cut Tape
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
109예상 2026-10-09
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640C
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V 리드 타임 40 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32320C Reel
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640C
Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM1G16D2 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 64Mx16, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 667 MHz FBGA-96 64 M x 16 300 ps 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G16D3 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 8 bit 667 MHz FBGA-78 128 M x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IME1G08D3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 128Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FPGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray