+ 125 C DRAM

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L
데이터시트
18재고 상태
380주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C IS46TR16256BL Tray
Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 UT
데이터시트
제품 코멘트
212재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 13.75 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C MT41K Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 190
배수: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s at 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED