|
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS45S16320F-7BLA2
- ISSI
-
1:
₩28,844.4
-
480주문 중
|
Mouser 부품 번호
870-45S16320F7BLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
480주문 중
|
|
|
₩28,844.4
|
|
|
₩27,440.4
|
|
|
₩26,863.2
|
|
|
₩26,208
|
|
|
₩25,131.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
512 Mbit
|
16 bit
|
143 MHz
|
BGA-54
|
32 M x 16
|
5.4 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
IS45S16320F
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
- IS45S16400N-7BLA2
- ISSI
-
1:
₩12,651.6
-
581주문 중
|
Mouser 부품 번호
870-IS45S16400N7BLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
|
|
581주문 중
|
|
|
₩12,651.6
|
|
|
₩11,778
|
|
|
₩11,419.2
|
|
|
₩10,904.4
|
|
|
₩10,639.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
64 Mbit
|
16 bit
|
143 MHz
|
BGA-54
|
4 M x 16
|
5.4 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
- IS45S16800J-7BLA2
- ISSI
-
1:
₩11,622
-
1,216주문 중
|
Mouser 부품 번호
870-IS45S16800J7BLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
|
|
1,216주문 중
|
|
|
₩11,622
|
|
|
₩10,826.4
|
|
|
₩10,498.8
|
|
|
₩10,015.2
|
|
|
₩9,765.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
128 Mbit
|
16 bit
|
143 MHz
|
BGA-54
|
8 M x 16
|
5.4 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
- IS45S32400J-6TLA2
- ISSI
-
1:
₩14,991.6
-
972주문 중
|
Mouser 부품 번호
870-IS45S32400J6TLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
|
|
972주문 중
|
|
|
₩14,991.6
|
|
|
₩14,664
|
|
|
₩12,870
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
128 Mbit
|
32 bit
|
166 MHz
|
TSOP-II-86
|
4 M x 32
|
5.4 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
|
DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Automotive Temp - Tray
- AS4C128M16D2A-25BAN
- Alliance Memory
-
1:
₩84,754.8
-
209예상 2026-09-21
|
Mouser 부품 번호
913-4C128M16D2A25BAN
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Automotive Temp - Tray
|
|
209예상 2026-09-21
|
|
|
₩84,754.8
|
|
|
₩78,327.6
|
|
|
₩75,800.4
|
|
|
₩73,912.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩70,106.4
|
|
|
₩70,090.8
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM - DDR2
|
2 Gbit
|
16 bit
|
400 MHz
|
FBGA-84
|
128 M x 16
|
400 ps
|
1.7 V
|
1.9 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
AS4C128M16D2A-25
|
Tray
|
|
|
|
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp - Tray
- AS4C16M16SA-6TAN
- Alliance Memory
-
1:
₩29,203.2
-
162주문 중
|
Mouser 부품 번호
913-4C16M16SA-6TAN
|
Alliance Memory
|
DRAM SDRAM, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp - Tray
|
|
162주문 중
|
|
|
₩29,203.2
|
|
|
₩27,097.2
|
|
|
₩26,239.2
|
|
|
₩25,615.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩24,913.2
|
|
|
₩23,914.8
|
|
|
₩23,462.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
256 Mbit
|
16 bit
|
166 MHz
|
TSOP-II-54
|
16 M x 16
|
5 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray
- AS4C64M16D3B-12BAN
- Alliance Memory
-
1:
₩33,618
-
190예상 2026-10-21
|
Mouser 부품 번호
913-A4C64M16D3B12BAN
|
Alliance Memory
|
DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray
|
|
190예상 2026-10-21
|
|
|
₩33,618
|
|
|
₩31,168.8
|
|
|
₩30,201.6
|
|
|
₩29,452.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩28,064.4
|
|
|
₩27,346.8
|
|
|
₩26,925.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM - DDR3
|
1 Gbit
|
16 bit
|
800 MHz
|
FBGA-96
|
64 M x 16
|
20 ns
|
1.425 V
|
1.575 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
AS4C64M16D3B
|
Tray
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
ISSI IS46TR16640CL-125JBLA2
- IS46TR16640CL-125JBLA2
- ISSI
-
1:
₩21,356.4
-
570주문 중
|
Mouser 부품 번호
870-6TR640C125JBLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
|
|
570주문 중
|
|
|
₩21,356.4
|
|
|
₩19,843.2
|
|
|
₩19,234.8
|
|
|
₩18,330
|
|
|
₩17,877.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM - DDR3L
|
1 Gbit
|
16 bit
|
1.066 GHz
|
BGA-96
|
64 M x 16
|
20 ns
|
1.283 V
|
1.45 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
- IS45S32400J-6BLA2
- ISSI
-
1:
₩15,350.4
-
239주문 중
|
Mouser 부품 번호
870-IS45S32400J6BLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
|
|
239주문 중
|
|
|
₩15,350.4
|
|
|
₩14,274
|
|
|
₩13,837.2
|
|
|
₩13,509.6
|
|
|
₩13,182
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
SDRAM
|
128 Mbit
|
32 bit
|
166 MHz
|
TSOP-II-86
|
4 M x 32
|
5.4 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
|
|
|
|
DRAM LPDDR4 16Gb 51 2Mx32 1.1V 4267Mbps 200-ball BGA Ind Distributed-Sold by SMART
- NT6AN512T32AV-J1I
- SMART Modular Technologies
-
1,000:
₩112,195.2
-
비재고 리드 타임 13 주
|
Mouser 부품 번호
473-NT6AN512T32AVJ1I
|
SMART Modular Technologies
|
DRAM LPDDR4 16Gb 51 2Mx32 1.1V 4267Mbps 200-ball BGA Ind Distributed-Sold by SMART
|
|
비재고 리드 타임 13 주
|
|
최소: 1,000
배수: 1,000
:
1,000
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
16 Gbit
|
|
|
FBGA-200
|
512 M x 32
|
3.5 ns
|
1.1 V
|
1.8 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM SPCM
- S80KS2562GABHB020
- Infineon Technologies
-
1:
₩18,111.6
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-S80KS2562GABHB02
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
|
₩18,111.6
|
|
|
₩16,832.4
|
|
|
₩16,302
|
|
|
₩15,927.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩15,537.6
|
|
|
₩14,866.8
|
|
|
₩14,492.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
HyperRAM
|
256 Mbit
|
|
200 MHz
|
FBGA-24
|
|
35 ns
|
1.7 V
|
2 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
- APS6408L-OBMX-BA
- AP Memory
-
1:
₩6,583.2
-
리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS6408L-OBMX-BA
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24
|
|
리드 타임 20 주
|
|
|
₩6,583.2
|
|
|
₩6,130.8
|
|
|
₩5,959.2
|
|
|
₩5,818.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩5,678.4
|
|
|
₩5,491.2
|
|
|
₩5,366.4
|
|
|
₩5,226
|
|
|
₩5,070
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
PSRAM (Pseudo SRAM)
|
64 Mbit
|
8 bit
|
200 MHz
|
BGA-24
|
8 M x 8
|
|
1.62 V
|
1.98 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
IoT RAM
|
Tray
|
|
|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
- S80KS2564GACHB040
- Infineon Technologies
-
260:
₩14,149.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
726-80KS2564GACHB040
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 260
배수: 260
|
|
|
HyperRAM
|
256 Mbit
|
32 bit
|
200 MHz
|
FBGA-49
|
|
35 ns
|
1.7 V
|
2 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
- S80KS2564GACHB043
- Infineon Technologies
-
2,500:
₩13,010.4
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
726-80KS2564GACHB043
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
HyperRAM
|
256 Mbit
|
16 bit
|
200 MHz
|
FBGA-49
|
|
35 ns
|
1.7 V
|
2 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
- S27KL0643GABHV020
- Infineon Technologies
-
3,380:
₩6,817.2
-
비재고 리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-S27KL0643GABHV20
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
비재고 리드 타임 26 주
|
|
최소: 3,380
배수: 3,380
|
|
|
HyperRAM
|
64 Mbit
|
8 bit
|
200 MHz
|
|
8 M x 8
|
35 ns
|
2.7 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM SPCM
Infineon Technologies S70KL1283DPBHV020
- S70KL1283DPBHV020
- Infineon Technologies
-
1:
₩11,341.2
-
리드 타임 26 주
|
Mouser 부품 번호
727-S70KL1283DPBHV2
|
Infineon Technologies
|
DRAM SPCM
|
|
리드 타임 26 주
|
|
|
₩11,341.2
|
|
|
₩10,561.2
|
|
|
₩10,249.2
|
|
|
₩10,015.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩9,765.6
|
|
|
₩9,344.4
|
|
|
₩9,110.4
|
|
|
₩8,985.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
HyperRAM
|
128 Mbit
|
8 bit
|
166 MHz
|
|
16 M x 8
|
36 ns
|
2.7 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
- APS256XXN-OBX9-BG
- AP Memory
-
4,800:
₩8,330.4
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS256XXN-OBX9BG
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 4,800
배수: 4,800
|
|
|
PSRAM (Pseudo SRAM)
|
256 Mbit
|
8 bit / 16 bit
|
250 MHz
|
BGA-24
|
32 M x 8/16 M x 16
|
|
1.62 V
|
1.98 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
IoT RAM
|
Tray
|
|
|
|
DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp
- AS4C64M16D3LB-12BANTR
- Alliance Memory
-
2,000:
₩22,822.8
-
비재고 리드 타임 12 주
|
Mouser 부품 번호
913-4C6416D3LB12BANT
|
Alliance Memory
|
DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 A-Temp
|
|
비재고 리드 타임 12 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
:
2,000
|
|
|
SDRAM - DDR3L
|
1 Gbit
|
16 bit
|
800 MHz
|
FBGA-96
|
64 M x 16
|
20 ns
|
1.283 V
|
1.45 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
AS4C64M16D3LB
|
Reel
|
|
|
|
DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
- IS45S32200L-7BLA2
- ISSI
-
240:
₩17,908.8
-
비재고 리드 타임 10 주
-
NRND
|
Mouser 부품 번호
870-IS45S32200L7BLA2
NRND
|
ISSI
|
DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
|
|
비재고 리드 타임 10 주
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최소: 240
배수: 240
|
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SDRAM
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64 Mbit
|
32 bit
|
143 MHz
|
BGA-90
|
2 M x 32
|
5.5 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
IS45S32200L
|
Tray
|
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DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C
- A3R12E40DBF-8EA
- Zentel Japan
-
2,000:
₩15,490.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3R12E40DBF-8EA
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
SDRAM - DDR2
|
512 Mbit
|
16 bit
|
400 MHz
|
FPGA-84
|
32 M x 16
|
400 ps
|
1.7 V
|
1.9 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
DDR2
|
Tray
|
|
|
|
DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C
- A3R1GE40JBF-8EA
- Zentel Japan
-
2,000:
₩20,826
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
155-A3R1GE40JBF-8EA
|
Zentel Japan
|
DRAM DDR2 1Gb, 64Mx16, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-84, 105C
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
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|
SDRAM - DDR2
|
1 Gbit
|
16 bit
|
400 MHz
|
FPGA-84
|
64 M x 16
|
400 ps
|
1.7 V
|
1.9 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
DDR2
|
Tray
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ16128A-062TBLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩32,011.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128A062TBLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4
|
2 Gbit
|
16 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 16
|
|
1.06 V
|
1.17 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
- IS46LQ16128AL-062TBLA2
- ISSI
-
136:
₩32,323.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128AL062TBLA2
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 136
배수: 136
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
2 Gbit
|
16 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 16
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Tray
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
- IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR
- ISSI
-
2,500:
₩32,011.2
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128AL062TBLA2T
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
:
2,500
|
|
|
SDRAM - LPDDR4X
|
2 Gbit
|
16 bit
|
1.6 GHz
|
BGA-200
|
128 M x 16
|
|
570 mV
|
650 mV
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
|
Reel
|
|
|
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
- IS46TR16128C-125KBLA25
- ISSI
-
190:
₩27,190.8
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
870-16128C-125KBLA25
|
ISSI
|
DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 190
배수: 190
|
|
|
SDRAM - DDR3
|
2 Gbit
|
16 bit
|
933 MHz
|
BGA-96
|
128 M x 16
|
20 ns
|
1.425 V
|
1.575 V
|
- 40 C
|
+ 105 C
|
IS46TR16128C
|
|
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